特許
J-GLOBAL ID：200903085479641332
シリコン基板の陽極化成方法、それを利用した加速度センサの製造方法、加速度センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127803
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330493
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 設計領域を確実にかつ選択的にポーラス化するでき、処理効率のよいシリコン基板の陽極化成方法を提供すること。【解決手段】 p型単結晶シリコン基板2と二層構造のエピタキシャル成長層4,6との界面に、n型シリコン埋込層21を形成する。n型シリコン埋込層21の上層部においてシリコン拡散層5,7により側面側から包囲される領域に、p型シリコン埋込拡散層19を形成する。p型シリコン埋込拡散層19に対応する位置に同層の面積よりも小さな面積の開口部21aを、n型シリコン埋込層21に形成しておく。この状態にてふっ酸溶液24中で直流電源15の陽極側にp型単結晶シリコン基板2を接続して通電する。その結果、二層構造のエピタキシャル成長層4,6の一部をポーラス化することなく、それら4,6を側面側及び下面側から包囲する部分を選択的にポーラス化する。
請求項（抜粋）：
p型単結晶シリコン基板の表面側に積層されたn型シリコンからなる二層構造のエピタキシャル成長層の所定領域に、p型不純物を高濃度で含むシリコン拡散層を形成し、ふっ酸溶液中で直流電源の陽極側に前記p型単結晶シリコン基板を接続することにより、その裏面側から表面側に向かう方向に直流電流を流してそれと反対方向にポーラス化を選択的に進行させる陽極化成方法において、前記p型単結晶シリコン基板と前記二層構造のエピタキシャル成長層との界面にn型シリコン埋込層を形成し、そのn型シリコン埋込層の上層部において前記シリコン拡散層により側面側から包囲される領域にp型シリコン埋込拡散層を形成し、前記p型シリコン埋込拡散層に対応する位置に同層の面積よりも小さな面積の開口部を前記n型シリコン埋込層に形成しておくことにより、前記二層構造のエピタキシャル成長層の一部をポーラス化することなく、それらを側面側及び下面側から包囲する部分をポーラス化することを特徴とするシリコン基板の陽極化成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/12
, H01L 21/3063
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
, H01L 21/306 L
