特許

J-GLOBAL ID：200903085479803472

エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

発明者： 加藤 彰 ,  片山 雅之 ,  伊藤 信衛 ,  服部 正
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-119805
公開番号（公開出願番号）：特開平8-127771
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 青色純度が高く、かつ高輝度のEL素子を提供する。【構成】 薄膜EL素子10は、絶縁性基板であるガラス基板11上に順次、以下の薄膜が積層形成され構成されている。ガラス基板11上には、光学的に透明なZnOから成る第1透明電極12が形成され、その上面には光学的に透明なSrTiO3 (チタン酸ストロンチウム)から成る第1絶縁層13、発光中心としてCeを添加したCaGa2.9 S4.2 から成る発光層14、光学的に透明なSrTiO3 から成る第2絶縁層15、光学的に透明なZnOから成る第2透明電極16が形成されている。【作用】 発光層14においてGaが過剰に存在することで結晶構造が変化しCeのまわりの配位子場がわずかに変化するため、発光スペクトルが短波長側にずれる。また、Caチオガレートを用いるので、高い輝度を保つことができる。

請求項（抜粋）：

基坂上に、第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層及び第2電極の順に積層され、少なくとも発光層からの光取り出し側を透明としたエレクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、CaGaX Sy (但し、2.1≦x≦3.5、y≧4)にCeを添加してなる構成であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (3件)：

C09K 11/56 CPC ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14