特許

J-GLOBAL ID：200903085480370180

半導体装置の製造方法

発明者： 井谷 直毅
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056243
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238708
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】化学機械研磨(CMP)法による研磨の際に残存する金属汚染を、半導体基板上の積層膜に損傷を与えることなく除去することが可能な方法を提供する。【解決手段】化学機械研磨(CMP)法によりシリコン酸化膜11を第1の研磨剤を用いて研磨した際に残存するカリウム16を、ピペラジンを含有した第2の研磨剤を用いて薄く研磨することにより完全に除去する。カリウム16の除去にフッ酸等を使用しないため、シリコン酸化膜11にダメージを与えることなくシリコン酸化膜11の下層の金属配線等の積層膜も確実に保護することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された膜を研磨する方法であって、金属元素を含有した第1の研磨剤を用いて前記膜を研磨する第1の工程と、アミド系あるいはアミン系化合物を含有した第2の研磨剤を用いて前記膜を研磨して、前記膜上の前記金属元素を含む残留物を除去する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 A ,  H01L 21/304 622 E