特許
J-GLOBAL ID：200903085486126834
受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170126
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343731
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 受光感度及び受光効率が高く、暗電流特性及び高速応答性も良好な受光素子を実現する。【構成】 半絶縁性半導体基板1上に吸収層2を設け、この吸収層2上にショットキーコンタクト層3を設ける。このショットキーコンタクト層3上に直接ショットキー電極4を設けるとともに、吸収層2及びショットキーコンタクト層3中に半絶縁性半導体基板1に達するように設けた低抵抗の拡散層6上にオーミック電極5をショットキー電極4と対向して設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に設けられた吸収層と、上記吸収層中に設けられた拡散層上に設けられたオーミック電極と、上記吸収層上に上記オーミック電極と対向して設けられたショットキー電極とを有する受光素子。
引用特許：
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