特許

J-GLOBAL ID：200903085486157799

超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置

発明者： 石倉 淳理
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 世良 和信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102453
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297361
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 簡易な構成で、効率良く成膜可能とする信頼性に優れた超微粒子膜形成方法及び超微粒子膜形成装置を提供する。【解決手段】 蒸発源の材料を溶解して蒸気とする手段を一種類だけでなく、複数の手段、例えば、レーザーと高周波誘導加熱、レーザーとアーク加熱、レーザーと抵抗加熱、復数種類のレーザーの組合わせ、さらにレーザーと複数種類の加熱源の組合わせ等を併用することで、より材料を高温に加熱することが可能となり、材料からの総蒸発量も増加する。

請求項（抜粋）：

超微粒子生成室と超微粒子膜形成室との圧力差を利用して、超微粒子生成室内から生成された超微粒子を超微粒子膜形成室内に導き、該超微粒子膜形成室内に配置された膜形成対象物に超微粒子膜を形成する超微粒子膜形成方法において、複数の加熱方式を組み合わせて、超微粒子生成用材料を加熱溶解して蒸気化させることで、前記超微粒子を生成することを特徴とする超微粒子膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/28 ,  C23C 24/08

FI (2件)：

C23C 14/28 ,  C23C 24/08 Z

Fターム (20件)：

4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA08 ,  4K029BA17 ,  4K029BB01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB17 ,  4K029DB19 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K044AA12 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BB01 ,  4K044CA23 ,  4K044CA24 ,  4K044CA71