特許

J-GLOBAL ID：200903085489586690

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  ダラム パル ゴサイン ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074577
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283691
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 結晶化SiGeより成るチャネル領域を有するTFT構造を提案し、キャリア移動度の大なる薄膜トランジスタを提供する。【構成】 チャネル領域4を、結晶化SiGe薄膜より構成する。

請求項（抜粋）：

チャネル領域が、結晶化SiGe薄膜より成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 311 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-168021