特許
J-GLOBAL ID：200903085495826601
光弁用半導体装置とその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029489
公開番号（公開出願番号）：特開平6-242469
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 高速動作可能な駆動回路を内蔵した小型の光弁装置を形成できる光弁用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコン基板101上に形成された画素領域104と駆動回路103を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素領域下の単結晶シリコン基板のみを除去し、光透過を可能としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素領域下の該単結晶シリコン基板は除去され、光透過を可能としたことを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/15
, H01L 29/784
