特許

J-GLOBAL ID：200903085496731191

光結合半導体装置

発明者： 松尾 義彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104869
公開番号（公開出願番号）：特開平10-300990
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量を低減させ、安定した光伝達効率を保持できる光結合半導体装置を提供する。【解決手段】 第1のリードフレーム1の第1ヘッダー部1aに搭載された発光素子3と、第2のリードフレーム2の第2ヘッダー部2aに搭載された受光素子4とを光学的に光路を形成するインナーパッケージ10でモールドし、このインナーパッケージ10の外側にアウタパッケージ11を形成し、第1および第2ヘッダー部1a、2aの各々の素子搭載面を対面しない状態に配置し、かつ、インナーパッケージ10の表面に、発光素子3の表面発光光L1および側面発光光L2を反射して受光素子3に導く反射面13、14を形成してなる。

請求項（抜粋）：

第1のリードフレームの第1ヘッダー部に搭載された発光素子と、第2のリードフレームの第2ヘッダー部に搭載された受光素子とが光学的に光路を形成するインナーパッケージでモールドされ、該インナーパッケージの外側にアウタパッケージが形成されている光結合半導体装置において、前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない状態に配置され、かつ、前記インナーパッケージの表面に前記発光素子の表面発光光および/または側面発光光を反射して前記受光素子に導く反射面が形成されていることを特徴とする光結合半導体装置。

IPC (2件)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/12

FI (3件)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/12 C ,  H01L 31/12 E

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光結合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093716   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (1件)

• 光結合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093716   出願人：日本電気株式会社