特許

J-GLOBAL ID：200903085496733577

プラズマ処理装置

発明者： 竹林 基成
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127055
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 カソード電極の自己バイアス電位を変化させることにより、エッチング能力及びクリーニング能力を向上させる。【解決手段】 反応室2内にカソード電極3とアノード電極4を対向配置し、反応室2内に処理ガスを導入した状態でカソード電極3に高周波電力を印加することで反応室2内にプラズマを発生させ、このプラズマを利用することで、アノード電極4上に配した基板Wに所定の処理を施すプラズマ処理装置において、カソード電極3を、自己バイアス電位制御手段としてのコイル30を介してアースに接続した。

請求項（抜粋）：

反応室内にカソード電極とアノード電極を対向配置し、前記反応室内に処理ガスを導入した状態でカソード電極に高周波電力を印加することで反応室内にプラズマを発生させ、このプラズマを利用することで、アノード電極上に配した基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置において、少なくとも前記カソード電極の自己バイアス電位を制御する自己バイアス電位制御手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 C

Fターム (31件)：

4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030DA04 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA03 ,  5F004AA15 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA02 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB10 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20