特許

J-GLOBAL ID：200903085498127577

浸珪処理法による高珪素鋼帯の製造方法

発明者： 山路 常弘 ,  阿部 正広 ,  和田 守弘 ,  拝司 裕久 ,  岡田 和久 ,  笠井 勝司
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 苫米地 正敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176793
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【目的】 浸珪処理法により板幅方向でのSi濃度が均一な高珪素鋼帯を製造すること【構成】 浸珪処理炉内に炉長方向で間隔をおいて複数のスリットノズルを配し、このスリットノズルから通板する鋼帯の両面に処理ガスを吹き付けることにより、鋼帯にその表面からSiを浸透させる浸珪処理を施すに当たり、浸珪処理炉内に、スリットの開口面積a1とスリット内側におけるガス流路のノズル管径方向断面積a2との比a1/a2を0.55以下としたスリットノズルを配し、各スリットノズルに対してその片側端部から処理ガスを供給することにより、ガス供給側のスリット端部に近い位置でのガス吹き出し角度θを大きくし、板幅方向での浸珪量分布を均一化する。

請求項（抜粋）：

浸珪処理炉内に炉長方向で間隔をおいて複数のスリットノズルを配し、このスリットノズルから通板する鋼帯の両面に処理ガスを吹き付けることにより、鋼帯にその表面からSiを浸透させる浸珪処理を施し、次いで拡散均熱炉においてSiを板厚方向に拡散させる熱処理を施すことで高珪素鋼帯を連続的に製造する方法において、浸珪処理炉内に、スリットの開口面積a1とスリット内側におけるガス流路のノズル管径方向断面積a2との比a1/a2を0.55以下としたスリットノズルを配し、各スリットノズルに対してその片側端部から処理ガスを供給することを特徴とする浸珪処理法による高珪素鋼帯の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 10/08 ,  C21D 1/74 ,  C22C 38/00 303