特許

J-GLOBAL ID：200903085503081327

p型GaN系化合物半導体の製造方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162864
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 高キャリア濃度のp型GaN系化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 800°C以上の温度に加熱されているGaN系化合物半導体にMg,Zn,Beの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をイオン注入し、ついで、窒素ガスと前記p型不純物を含有するガスから成り、かつ圧が2.026MPa以上である混合ガスの中で、イオン注入された前記GaN系化合物半導体に温度1200°C以上で10分間以上の熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

800°C以上の温度に加熱されているGaN系化合物半導体にMg,Zn,Beの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をイオン注入し、ついで、窒素ガスと前記p型不純物を含有するガスから成り、かつ圧が2.026MPa以上である混合ガスの中で、イオン注入された前記GaN系化合物半導体に温度1200°C以上で10分間以上の熱処理を施すことを特徴とするp型GaN系化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/265 601 A ,  H01L 33/00 C ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357046   出願人：日亜化学工業株式会社