特許

J-GLOBAL ID：200903085503130875

光半導体素子搭載用サブマウント

発明者： 山口 雄一朗
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310018
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127375
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】熱応力が光半導体素子側に伝わり光半導体素子が破損するのを抑え、また光半導体素子を接合するためにロウ材層を加熱溶融させた時に、金属層成分がロウ材層中に融け込んで合金化することがなく、ロウ材層の組成変化による融点上昇が生じず、良好な接合性が得られる。【解決手段】ダイヤモンド基板1上の光半導体素子搭載部に、密着金属層2と拡散防止層3と主導体層4とを順次積層させた配線層上に、Au,Ag,Cuまたはこれらの合金から成る金属層5と第2の拡散防止層6とロウ材層7とを順次積層させた接合層を形成して成る搭載用電極を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド基板上の光半導体素子搭載部に、密着金属層と拡散防止層と主導体層とを順次積層させた配線層上に、Au,Ag,Cuまたはこれらの合金から成る金属層と第2の拡散防止層とロウ材層とを順次積層させた接合層を形成して成る搭載用電極を設けたことを特徴とする光半導体素子搭載用サブマウント。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01S 5/022 ,  H01L 23/12 Z ,  H01L 23/14 D

Fターム (5件)：

5F073CB23 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22 ,  5F073HA11