単結晶の製造方法および装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：舘野公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-353914
公開番号（公開出願番号）：特開平9-188590
出願日： 1995年12月29日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【目的】酸素濃度分布の面内均一性が高いウエーハが得られ、かつ結晶成長方向のミクロな酸素濃度分布が均一な大直径の単結晶を、HMCZ法により製造する。【構成】 HMCZ法による単結晶製造装置において、ルツボ2内融液下面の垂直方向の位置をBとし、結晶引上げ開始時の融液深さをLとするとき、結晶引上げ開始時の、超伝導電磁石12,15のコイル中心軸Ccの垂直方向の位置を、Bより(1/3)・Lだけ下方の位置から、Bより(1/3)・Lだけ上方の位置までの範囲内の適宜値に制御し単結晶を引き上げる。これにより、ルツボ内の結晶成長界面近傍の融液に印加される磁場の強度を弱めて融液対流の自由度を高めるとともに、ルツボの底部近傍の融液では、これに印加される磁場の強度を強めてその対流を抑制する。

請求項（抜粋）：

引上げチャンバー内にルツボと、このルツボを囲繞する加熱ヒータとを設け、磁場印加装置の電磁石を構成するコイルを前記引上げチャンバー外に、かつ前記ルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き上げる水平磁場印加CZ法による単結晶の製造方法おいて、ルツボ内融液下面の垂直方向の位置をBとし、結晶引上げ開始時の融液深さをLとするとき、結晶引上げ開始時の、前記電磁石のコイル中心軸の垂直方向の位置を、B-(1/3)・LからB+(1/3)・Lまでの範囲内の適宜値に制御することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 , C30B 29/06 502 , C30B 33/04

FI (3件)：

C30B 15/00 Z , C30B 29/06 502 G , C30B 33/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-024090
特開昭64-024090

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