特許

J-GLOBAL ID：200903085513621001

半導体レーザ装置

発明者： 山田 英行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136748
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330668
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 自励発振型半導体レーザを高歩留りで発振するAlGaInP系の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 pークラッド層とpーコンタクト層の間にあるpーヘテロバッファ層をストライプ上で部分的に除去されており、その部分の領域ではエネルギー障壁により電流が流れず、その直下の活性層領域は過飽和吸収体となる。【効果】 従来、吸収領域形成のためウェハを0.5〜1μm程度エッチングする必要があったのに対し、本発明では0.05μmへと著しく減少し得るので凸凹がなく、エッチング済み面上への結晶成長で欠陥が生じにくく、微細加工が可能であり、劈開がしやすい、すなわち歩留りの向上した装置が提供される。

請求項（抜粋）：

各層の材料として、活性層に(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1<HAN>ー</HAN>x</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>P、クラッド層に(Al<SB>y</SB>Ga<SB>0-y</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>P(x<y)、p側の電極面と接するコンタクト層にGaAs層、コンタクト層とクラッド層の間のヘテロバッファ層に(Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>)<SB>0.5</SB>In<SB>0.5</SB>P(z<y)が用いられ、ストライプ状の発光領域を有するAlGaInP系の半導体レーザ装置において、前記ヘテロバッファ層が、前記ストライプ状の発光領域において部分的に削除されていることを特徴とする半導体レーザ装置。