特許

J-GLOBAL ID：200903085523784995

半導体装置およびその製造方法

発明者： 角田 弘昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350049
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】キャパシタ構造の絶縁膜の絶縁性の信頼性を良好に確保する。【構成】半導体基板上に順次積層されて絶縁膜を挟んだ一対の電極からなりかつ前記一対の電極のうち少なくとも前記基板に近い側が多結晶シリコンからなるキャパシタ構造を有してなり、前記多結晶シリコン膜の前記絶縁膜と接する面を除く領域の少なくとも一部にゲッターサイトを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次積層されて絶縁膜を挟んだ一対の電極からなりかつ前記一対の電極のうち少なくとも前記基板に近い側が多結晶シリコンからなるキャパシタ構造を有してなり、前記多結晶シリコン膜の前記絶縁膜と接する面を除く領域の少なくとも一部にゲッターサイトを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 21/265 P ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371