特許
J-GLOBAL ID：200903085526510284
光電変換装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089715
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297444
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 小さな面積で大きな出力電流を得ることができるフォトダイオードを提供する。【構成】 P型の半導体基板2には、N型の第2導電型領域6が設けられている。この第2導電型領域6には、P型のくい込み部4が設けられている。くい込み部4は、第2導電型領域6内に、半導体基板2表面とほぼ平行なPN接合面11、12を上下に形成する。したがって、同じ平面的範囲にて、より多くのPN接合面を得ることができる。これにより、出力電流の大きな光電変換装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
A)第1導電型領域を有する半導体基板、B)前記第1導電型領域内に形成される第2導電型の第2導電型領域、C)前記第1導電型領域と接続される以下のくい込み部を有すること、C1)前記第2導電型領域に、くい込むように設けられた第1導電型のくい込み部であって、前記第2導電型領域との間に、前記半導体基板表面とほぼ平行なPN接合面が上下に形成されるくい込み部、を備えたことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 A
