特許
J-GLOBAL ID:200903085528668578

外観検査装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-118966
公開番号(公開出願番号):特開2000-311925
出願日: 1999年04月27日
公開日(公表日): 2000年11月07日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板のレジスト塗布むらなどの不良箇所の検出を行う。【解決手段】 半導体基板に光を照射する光源と、前記半導体基板表面の反射光を画像情報に変換する変換手段と、前記変換された画像情報に含まれる、半導体基板の不良情報を強調する強調手段と、予め、半導体基板上の種々の位置、種々の領域の良品基準情報を記憶する良品基準情報記憶手段と、前記半導体基板上の計測位置および計測領域を設定する設定手段と、前記設定された計測位置および計測領域の、前記強調された画像情報を積分する積分手段と、前記積分結果と、当該積分結果と同じ位置、同じ領域の良品基準情報とを比較して、半導体基板の良/不良を判定する判定手段と、前記設定手段の計測位置および計測領域をさまざまに変化させ、半導体基板上を網羅するように、一連の処理を繰り返すように制御する制御手段とを具備する。
請求項(抜粋):
被検査対象物である半導体基板に光を照射する光源と、前記半導体基板表面の反射光を画像情報に変換する変換手段と、前記変換手段によって変換された画像情報に含まれる、半導体基板の不良情報を強調する強調手段と、予め、半導体基板上の種々の位置、種々の領域の良品基準情報を記憶する良品基準情報記憶手段と、前記半導体基板上の計測位置および計測領域を設定する設定手段と、前記設定手段によって設定された計測位置および計測領域の、前記強調手段によって強調された画像情報を積分する積分手段と、前記積分手段の積分結果と、当該積分結果と同じ位置、同じ領域の良品基準情報とを比較して、半導体基板の良/不良を判定する判定手段と、前記設定手段の計測位置および計測領域をさまざまに変化させ、半導体基板上を網羅するように、一連の処理を繰り返すように制御する制御手段とを具備することを特徴とする外観検査装置。
IPC (5件):
H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/027
FI (6件):
H01L 21/66 J ,  G01B 11/30 A ,  G01N 21/88 J ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 564 C
Fターム (50件):
2F065AA49 ,  2F065BB03 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065FF42 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ13 ,  2F065QQ14 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR01 ,  2F065RR09 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AB20 ,  2G051CA04 ,  2G051DA07 ,  2G051EA08 ,  2G051EA09 ,  2G051EA11 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB09 ,  2G051EC01 ,  2G051ED01 ,  2G051ED05 ,  2G051ED09 ,  2G051ED14 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA39 ,  4M106DB04 ,  4M106DB07 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ12 ,  4M106DJ13 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ21 ,  5F046JA04 ,  5F046JA21 ,  5F046JA22

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