特許

J-GLOBAL ID：200903085528867317

半導体装置並びにその製造方法及び半導体パッケージ並びにその製造方法

発明者： 山口 浩司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345824
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179503
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】半導体素子に金属層を設けることで放熱効果を高くすることができ、かつ、小型化が可能な半導体装置並びにその製造方法及び半導体パッケージ並びにその製造方法を提供する点にある。【解決手段】図1は、本実施の第1の実施の形態に係る半導体装置50を含む半導体パッケージを示す図である。図1に示すように、本実施の一の実施の形態に係る半導体装置50は、第1の配線パターンを含む中継基板30と、第1の配線パターンに電気的に接続する電極12を含む第1の半導体素子10と、を備える。さらに、第1の配線パターンと電気的に接続し、中継基板30の表面から突出する外部端子16を備えてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の配線パターンを有する中継基板と、 前記第1の配線パターンと電気的に接続された第1の電極を表面に含み、前記第1の電極を含む面が前記中継基板の表面と対向するように前記中継基板に搭載された第1の半導体素子と、を備え、 前記第1の半導体素子は、前記第1の電極を含む面の裏面に金属層を有する ことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (4件)：

H01L23/12 501B ,  H01L23/12 501S ,  H01L25/08 B ,  H01L23/36 D

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05 ,  5F036BD01