特許
J-GLOBAL ID：200903085539573471
アンチフュ-ズ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005790
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211873
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 プログラム後の抵抗が十分低く、リソグラフィ-で規定される寸法より小さなアンチフュ-ズ素子を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板11上に第1の金属層21及び第1の絶縁膜22とからなる第1の電極層20を形成後、アンチフュ-ズ絶縁膜13を全面に形成し、第1の電極層20に対し、マトリクス状に第2の電極層30をアンチフュ-ズ絶縁膜13上に形成し、アンチフュ-ズ素子を第1の電極層20の側壁部分に自己整合的に形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の電極層と、上記第1の電極層の上面のみに設けられた第1の絶縁層と、上記第1の電極層の少なくとも一方の側壁部分上に形成されたアンチフュ-ズ絶縁層と、上記アンチフュ-ズ絶縁層を被覆する第2の電極層とを具備するアンチフュ-ズ素子。
IPC (2件)：
H01L 27/10 431
, H01L 21/82
