特許
J-GLOBAL ID:200903085540089010

積層半導体ウエハの分離装置およびその分離方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-155719
公開番号(公開出願番号):特開平9-008095
出願日: 1995年06月22日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】フラットエアノズルとスイングエアジェットノズルとの組み合わせで、ウエハの表面にキズを付けることなく、確実に積層ウエハを一枚づつに分離する。【構成】積層ウエハ1を上下降ステージ6の乗せ、積層ウエハ1の最上面にあるウエハの表面はロボット吸着ノズル4の吸着部5で吸着され、フラットエアノズル3から積層ウエハの複数枚に当たる空気流9を積層ウエハ1の側面に当て、ウエハを2〜3枚の塊に分離し、スイングエアジェットノズル2で空気流8を当て、確実に積層ウエハを分離する。
請求項(抜粋):
積層半導体ウエハ(以下積層ウエハという)の最上面を吸着部で持ち上げ、積層ウエハの側面から空気流を当ててウエハを一枚づつ分離する分離装置において、積層ウエハの内複数枚のウエハの側面に対向した位置から空気流を当てるフラットエアノズルと、先端が絞られ、フラットエアノズルより狭い範囲でかつ上方の積層ウエハの側面に空気流を当てるスイングエアジェットノズルとを備えたことを特徴とする積層ウエハの分離装置。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  B65G 49/07 ,  B65G 59/04
FI (3件):
H01L 21/68 A ,  B65G 49/07 G ,  B65G 59/04

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