特許

J-GLOBAL ID：200903085545002117

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

発明者： 狩野 隆司 ,  太田 潔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234314
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045814
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】良好な結晶性および電気特性を有する窒化物系半導体層を含む窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体素子は、第1GaN層3上に第1GaN層3の一部を露出するように所定の間隔を隔てて形成され、還元雰囲気下で変質されにくいSiCNからなる複数のマスク層4と、マスク層4間に露出された第1GaN層3の上面上およびマスク層4上に形成された第2GaN層6とを備えている。

請求項（抜粋）：

下地上に前記下地の一部を露出するように所定の間隔を隔てて形成され、還元雰囲気下で変質されにくい材料を含む複数のマスク層と、前記マスク層間に露出された下地の上面上および前記マスク層上に形成された第1窒化物系半導体層とを備えた、窒化物系半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (36件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TC19 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F073AA13 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA01 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 大サイズ単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156171   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法、窒化物系III-V族化合物結晶基板、窒化物系III-V族化合物膜およびデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341637   出願人：ソニー株式会社