特許
J-GLOBAL ID：200903085547435517
自己整合型バイポーラトランジスタ製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236557
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089900
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 SOI(絶縁体上のシリコン)基板上へ採用するための自己整合型のバイポーラ構造について述べている。【構成】 外部的ベース(72)がエミッタポリ(60)上の側壁酸化物スペーサ(66)に対して自己整合される。コレクタ側壁上のシリコンのエッチングと第2の側壁スペーサ(74)の形成の後、コレクタコンタクト(76)がエミッタポリ(60)の外側に対して自己整合される。コレクタ側壁シリコンのエッチングによってベースと高濃度にドープされたコレクタコンタクト(76)が分離され、コレクタ-ベース接合に対するブレークダウン電圧の劣化が阻止される。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン表面上に、縦型で完全に自己整合型のバイポーラトランジスタを作製するための方法であって:a.前記シリコン表面上に酸化物表面を形成すること、b.前記酸化物表面中にエミッタコンタクト領域を開口すること、c.ポリの層を堆積すること、d.前記ポリ上にエッチング用レジストを取り付け、パターン加工して、それによって前記ポリの露出部分を提供すること、e.前記酸化物表面をエッチストップとして用いてポリの前記露出部分をエッチングすることであって、それによって未エッチのポリのエミッタコンタクトを形成すること、f.前記シリコン表面の外部コレクタ部分をエッチングして凹み領域を提供すること、g.前記エミッタコンタクト上にベース側エミッタ側壁とコレクタ側エミッタ側壁とを形成すること、h.前記ベース側エミッタ側壁を用いて外部ベースを前記エミッタコンタクトに位置合わせするように、外部ベースを形成すること、i.前記コレクタ側エミッタ側壁を用いて外部コレクタを前記エミッタコンタクトに位置合わせするように、前記凹み領域中に外部コレクタを形成すること、を含む方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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