特許

J-GLOBAL ID：200903085550202523

高品質のマンガンドープ半導体ナノ結晶の製造方法

発明者： デイビッド ジェイ ノリス
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224548
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097100
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【課題】 Mnドープの高品質ナノ結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 一般的に、(a)前駆物質混合物を供給するため、マンガン有機金属前駆物質をII族有機金属前駆物質及びVI族有機金属前駆物質に配合する工程と、(b)注入混合物を供給するため、前駆物質混合物を希釈溶剤で希釈する工程と、(c)配位溶剤を加熱する工程と、(d)加熱された配位溶剤を攪拌する工程と、(e)加熱された配位溶剤を攪拌しつつ、この加熱された配位溶剤に前記注入混合物を注入する工程とを有する。高品質Mnドープセレン化亜鉛(ZnSe)ナノ結晶、高品質Mnトープ硫化亜鉛(ZnS)ナノ結晶、及び高品質Mnドープテルル化亜鉛(ZnTe)ナノ結晶の製造に特に有用である。

請求項（抜粋）：

高品質のマンガンドープ半導体ナノ結晶を製造する方法であって、(a) 前駆物質の混合物を供給するため、マンガン有機金属前駆物質をII族有機金属前駆物質及びVI族有機金属前駆物質に配合する工程と、(b) 注入混合物を供給するため、前記前駆物質の混合物を希釈溶剤により希釈する工程と、(c) 配位溶剤を加熱する工程と、(d) 前記加熱された配位溶剤を攪拌する工程と、(e) 前記加熱された配位溶剤を攪拌しつつ、前記加熱された配位溶剤中に前記注入混合物を注入する工程とを有する方法。

IPC (2件)：

C30B 29/46 ,  C09K 11/06 660

FI (2件)：

C30B 29/46 ,  C09K 11/06 660

Fターム (7件)：

4G077AA01 ,  4G077AA10 ,  4G077BE25 ,  4G077CB02 ,  4G077EB01 ,  4G077EC04 ,  4G077HA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-273596   出願人：ソニー株式会社