高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-174894
公開番号（公開出願番号）：特開2005-008765
出願日： 2003年06月19日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【解決手段】式(1)の繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性を向上させる繰り返し単位とを有する高分子化合物。【化1】(R1、R6はH、メチル基、F、トリフルオロメチル基、シアノ基、-CH2C(=O)-O-R12、-CH2-O-R13。R2はH、メチル基、シアノ基、R3はH、エステル基、R4、R5はH、エステル基、ラクトン環を含む基、R4とR5は環を形成可。R8はH、アルキル基。R7は単結合、式(2)の連結基。R9、R10はアルキル基、R11は単結合、O、アルキレン基。Xはエステル基、エーテル基。a、bは0又は正数、cは正数。mは4〜40、nは1〜20、pは0〜2。R12はアルキル基、R13はH、アルキル基、アシル基。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れ、超LSI製造用微細パターン形成材料として好適である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性を向上させる繰り返し単位とを有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (3件)：

C08F230/08 , G03F7/039 , G03F7/075

FI (3件)：

C08F230/08 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511

Fターム (34件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07S , 4J100AE09R , 4J100AE09S , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL39S , 4J100AR11S , 4J100BA02S , 4J100BA15P , 4J100BA15S , 4J100BA81R , 4J100BC08S , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100JA37

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