特許
J-GLOBAL ID：200903085552073275
半導体装置の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306988
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133644
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 反応室内への適正なガス供給を行うことができ、また、流量調節器の誤動作を抑制した半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】 原料ガスを供給するガス供給ユニット101と、液体材料を気化する液体材料気化ユニット102と、酸化膜を形成する反応室1と、原料ガスの1つであるオゾンを発生させるオゾン発生器2とを主たる構成として備えている。液体材料気化ユニット102は、3種類の有機ソース(液体材料)である、TEOS、TMPO、TMBが、それぞれ液体流量調節器280、281、282を介して反応室1の近傍に配置された気化器20A、21A、22Aに与えられる構成となっている。
請求項（抜粋）：
反応室内で、有機ソースガスとオゾンとをCVD法により反応させて半導体基板上に膜形成を行う半導体装置の製造装置であって、有機液体材料を瞬時気化して、前記有機ソースガスを生成する直接気化方式の気化器と、前記有機ソースガスおよび前記反応室内をパージする不活性ガスの何れかを前記反応室へ導入するように経路を切り換えるとともに、前記有機ソースガスおよび前記不活性ガスを排出するように経路を切り換える機能を備えた切り換え手段とを備え、前記気化器および前記切り換え手段を前記反応室の近傍に設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Fターム (16件)：
5F045AB32
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045AD08
, 5F045BB08
, 5F045EC09
, 5F045EC10
, 5F045EE02
, 5F045EE04
, 5F045EE14
, 5F045EE18
, 5F045EF18
, 5F045EG02
, 5F045GB07
