特許
J-GLOBAL ID:200903085553408920

光センサ回路およびこれを用いたイメージセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大西 正悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-264111
公開番号(公開出願番号):特開2000-101928
出願日: 1998年09月18日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】【課題】 寄生容量が小さくて感度の良好な光センサ回路を得る。【解決手段】 光信号をセンサ電流に変換するフォトゲート型光センサPSが変換したセンサ電流を弱反転状態で対数特性を有する検出電圧に変換する変換用MOSトランジスタQ1と、その検出端子に接続されたコンデンサCと、変換用MOSトランジスタQ1のゲート電圧にリセット用電圧を印加してコンデンサCの充電または放電を制御するゲート電圧VGとを備えて光センサ回路が構成され、フォトゲート型光センサPSのフォトゲートGpに所定電圧を印加するフォトゲート電圧VPGを備える。センサ電流が所定電流以下である場合には、コンデンサの充電電流または放電電流に比例した検出電圧を検出する線形応答領域を備え、センサ電流が所定電流を超える場合には、MOSトランジスタQ1の負荷特性に対応した対数特性を有する検出電圧を検出する対数応答領域を備える。
請求項(抜粋):
光信号をセンサ電流に変換する光-電気変換手段と、前記光-電気変換手段が変換したセンサ電流を弱反転状態で対数特性を有する検出電圧に変換する変換用MOSトランジスタと、前記変換用MOSトランジスタの検出端子に接続して配設されたコンデンサと、光信号を検出する際に、前記変換用MOSトランジスタのゲート電圧にリセット用電圧を印加してドレイン-ソース間のインピーダンスを低下させ、前記コンデンサの充電または放電を制御する初期設定手段とを備え、前記光-電気変換手段がフォトゲート型光センサから構成され、前記フォトゲート型光センサのフォトゲートに所定電圧を印加するフォトゲート電圧印加手段を備え、前記光-電気変換手段が変換したセンサ電流が所定電流以下の電流である場合には、前記コンデンサの充電電流または放電電流に比例した検出電圧を検出する線形応答領域を備えるとともに、前記光-電気変換手段が変換したセンサ電流が前記所定電流を超える電流である場合には、前記変換用MOSトランジスタの負荷特性に対応した対数特性を有する検出電圧を検出する対数応答領域を備えることを特徴とする光センサ回路。
IPC (2件):
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (2件):
H04N 5/335 Q ,  H01L 27/14 A
Fターム (18件):
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB10 ,  4M118BA14 ,  4M118BA15 ,  4M118CA03 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA15 ,  5C024FA01 ,  5C024FA08 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024GA33

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