特許

J-GLOBAL ID：200903085554178244

窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法

発明者： 平岡 晋 ,  岡川 広明
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-248773
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071910
出願日： 2006年09月13日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】光取出し効率が高く、かつ簡便に製造することのできる、窒化物半導体発光ダイオード素子を提供すること。【解決手段】窒化物半導体発光ダイオード素子10は、基板11上に形成されたn型窒化物半導体層12aと、n型窒化物半導体層12aに電流を注入するための第2の電極P12とを有し、n型窒化物半導体層12a上の縁部を含まない第1の領域には、発光層13を含む複数の窒化物半導体層が、n型窒化物半導体層12bの厚さ方向に積層されてなる積層構造体S10が形成されており、積層構造体S10上には、第2の電極P12とは反対の極性を有する第1の電極P11が形成されており、発光層13をその厚さ方向に直交する平面で切断したときにできる断面の面積が、n型窒化物半導体層12aから離れるにつれて増加している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層に電流を注入するための第2の電極とを有し、 前記n型窒化物半導体層上の縁部を含まない第1の領域には、発光層を含む複数の窒化物半導体層が、前記n型窒化物半導体層の厚さ方向に積層されてなる積層構造体が形成されており、 前記積層構造体上には、前記第2の電極とは反対の極性を有する第1の電極が形成されており、 前記発光層をその厚さ方向に直交する平面で切断したときにできる断面の面積が、前記n型窒化物半導体層から離れるにつれて増加している、窒化物半導体発光ダイオード素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA76 ,  5F041CB11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• LEDチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-154335   出願人：松下電工株式会社