半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081175
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282860
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】ビット線2及び2バー上の電圧信号をそのまま第1データ線3及び3バーに移送する第1トランスファ回路4と、第1データ線3及び3バー上の電圧信号を第2データ線6及び6バーに移送する際に電流信号に変換する第2トランスファ回路7とが設けられた。【効果】ビット線2及び2バーに読み出されたデータを第1データ線3及び3バーと第2データ線6及び6バーに階層化されたデータ線を介して出力する場合であっても、ノイズによる誤動作や信号遅延による読み出し動作の遅れを生じないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

記憶部からデータを読み出すビット線と、複数対の該ビット線に対応して1対ずつ設けられた第1データ線と、複数対の該第1データ線に対して1対設けられた第2データ線と、該第2データ線上の信号を増幅する電流増幅型の増幅器と、を備えた半導体記憶装置であって、択一的に選択した該ビット線上の電圧信号を該第1データ線に移送する第1トランスファ回路と、択一的に選択した該第1データ線上の電圧信号を電流信号に変換して該第2データ線に移送する第2トランスファ回路と、を更に備えた半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/401 , G11C 11/417 , H01L 27/108 , H01L 27/10 491

FI (3件)：

G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 305 , H01L 27/10 325 V

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