特許

J-GLOBAL ID：200903085556328715

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 木戸口 勲 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106324
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299768
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、CODの発生を抑制することができ、高い光出力を得ることができる半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を介してGaInP活性層4をn-AlGaInPクラッド層3およびp-AlGaInPクラッド層5で挟むダブルヘテロ構造を有する。GaInP活性層4にキャリアを注入するためのキャリア供給部11と光を共振するためのへき開面である共振ミラー12との間には高抵抗部13がある。高抵抗部13の幅は共振ミラー11面を端として約5μmである。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、前記基板上の活性層と、前記活性層にキャリアを注入するためのキャリア供給部と、前記キャリア供給部と共振ミラーとの間に高抵抗部とを有し、前記高抵抗部を構成する材料が前記キャリア供給部と同じであることを特徴とする半導体レーザ。