磁気抵抗効果デバイス及び磁性薄膜メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055778
公開番号（公開出願番号）：特開2001-243760
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】メモリ素子の記録情報を正確に再生することができる磁性薄膜メモリを提供する。【解決手段】磁性薄膜メモリ1において、メモリ素子10は少なくとも磁気抵抗効果素子を含み、第1のセンス線41の一端(端子A)を第1のデコーダ回路31に、第2のセンス線42の一端(端子B)を第2のデコーダ回路32に接続する。第1のセンス線41の他端(端子D)、第2のセンス線42の他端(端子C)は電圧差を検出し増幅する差動増幅回路70に接続されている。検出回路80においては、差動増幅回路70の増幅出力と基準電圧とが比較され、メモリ素子10の記録情報が再生される。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の一端に接続された第1のセンス線及び他端に接続された第2のセンス線と、前記第1のセンス線の一端から磁気抵抗効果素子を通して前記第2のセンス線の一端にセンス電流を供給する回路と、前記第1のセンス線の他端と第2のセンス線の他端との間の電圧差を検出し増幅する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の増幅出力と基準電圧とを比較し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗変化を検出する検出回路とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果デバイス。

IPC (7件)：

G11C 11/14 , G11C 11/14 304 , G01R 33/09 , G11C 11/15 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 481 , H01L 43/08

FI (7件)：

G11C 11/14 E , G11C 11/14 304 X , G11C 11/15 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 481 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

Fターム (9件)：

2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083KA01 , 5F083LA03 , 5F083LA10

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