特許

J-GLOBAL ID：200903085571991889

電気めっき充填を改善する方法

発明者： フセン チエン ,  ツエン シュー ,  ペイユン ディン ,  バリー チン ,  アショク シンハ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305522
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185553
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 電気めっきプロセスを使用して基体上の構造を充填する方法を提供すること。【解決手段】 基体上の構造を充填する方法は、基体上の1つ以上の表面上にバリヤー層52を堆積させるステップと、このバリヤー層52上にシード層58を堆積させるステップと、このシード層58の少なくとも一部を除去するステップと、金属を電気化学的に堆積させて構造を充填するステップとを含む。好ましくは、電気めっきプロセスの前に、電気化学的脱めっきプロセスを使用して、構造の側壁部分上に形成されたシード層の一部、または全てを除去する。

請求項（抜粋）：

基板上の構造を充填する方法であって、a)上記構造の1つ以上の表面上にバリヤー層を堆積させるステップと、b)上記バリヤー層上にシード層を堆積させるステップと、c)上記シード層の一部を除去するステップと、d)金属を電気化学的に堆積させて上記構造を充填するステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/288

FI (6件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M