特許

J-GLOBAL ID：200903085580238425

p型III族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置

発明者： 岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153583
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353144
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 効率よく高濃度に3原子複合体ドーパントを母体結晶中にドーピングできる低抵抗のp型III族窒化物半導体およびその作製方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板10上に、低温GaNバッファー層11、p型GaN層12が順次に形成されている。ここで、p型GaN層12は、p型不純物のMg(マグネシウム)とO(酸素)が、それぞれ、Mgは1×1020cm-3程度、O(酸素)は3×1019cm-3程度ドーピングされている。

請求項（抜粋）：

アクセプター性不純物とドナー性不純物の複合体を含むp型III族窒化物半導体の作製方法において、アクセプター性不純物元素とドナー性不純物元素との結合を有する化合物をドーパント原料に使用してp型III族窒化物半導体を作製することを特徴とするp型III族窒化物半導体の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (52件)：

5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CB03 ,  5F041CB11 ,  5F041CB32 ,  5F041FF01 ,  5F041FF13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB16 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA30 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23