特許
J-GLOBAL ID：200903085585677290
導波路型ファラデー回転素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229349
公開番号（公開出願番号）：特開2004-070012
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】光デバイスと集積可能で高性能な導波路型ファラデー回転素子を製造する。【解決手段】InPクラッド層11上に、InP:Mn層12aがInGaAsP層12bで挟まれたInP:Mn/InGaAsPコア層12を形成し、その上にInP:Mnクラッド層13を形成して、導波路型ファラデー回転素子10を形成する。これにより、導波路型ファラデー回転素子10をInP系の半導体材料を用いて製造することができるとともに、導波路内を伝播する光がMnを含んだ層とオーバーラップする領域が増加し、光とMnとの相互作用が高められる。また、Mnを、InP:Mn層12aやInP:Mnクラッド層13の形成時あるいはこれらの層の下層になる半導体層の成長時に導入することにより、InP:Mn層12aおよびInP:Mnクラッド層13にMnを有効に導入することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光を伝播するコア層とこのコア層を挟む一対のクラッド層とを有する導波路構造を備えた導波路型ファラデー回転素子において、
磁性元素を含む半導体である磁性半導体からなる磁性半導体層が、前記磁性半導体層の屈折率よりも高い屈折率の半導体層によって挟まれた構造を有するコア層と、
前記半導体層の屈折率よりも低い屈折率の磁性半導体からなるクラッド層と、
を有することを特徴とする導波路型ファラデー回転素子。
IPC (3件)：
G02F1/095
, G02B6/00
, G02B6/12
G02F1/095
, G02B6/00 316
, G02B6/12 L
2H038BA35
, 2H047KA03
, 2H047MA07
, 2H047NA06
, 2H047PA06
, 2H047QA02
, 2H047RA08
, 2H079AA03
, 2H079BA02
, 2H079CA06
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079JA00
