特許
J-GLOBAL ID:200903085592015081

酸化物および酸化物超電導体ならびにその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-359921
公開番号(公開出願番号):特開平11-189415
出願日: 1997年12月26日
公開日(公表日): 1999年07月13日
要約:
【要約】【課題】 基板とミスマッチの少ないビスマス系酸化物および酸化物超電導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 カルシウム、カリウムもしくはルビジウム、ストロンチウム、ビスマスおよび酸素からなり化学組成式Ca1-x-yKxSryBiO3(x=0.3〜0.8、y=0〜0.5)もしくはCa1-x-yRbxSryBiO3(x=0.3〜0.8、y=0〜0.5)で表され、ペロプスカイト型構造を有する酸化物である。また、カルシウム、カリウムもしくはルビジウム、ストロンチウム、ビスマスおよび酸素からなり化学組成式Ca1-x-yKxSryBiO3もしくはCa1-x-yRbxSryBiO3で表され、前記xは0.4〜0.7の範囲、yは0〜0.5の範囲であり、x+yは1.0を超えないペロブスカイト型構造の酸化物超電導体である。
請求項(抜粋):
カルシウム、カリウムもしくはルビジウム、ストロンチウム、ビスマスおよび酸素からなり化学組成式Ca1-x-yKxSryBiO3もしくはCa1-x-yRbxSryBiO3で表され、前記xは0.3〜0.8の範囲、yは0〜0.5の範囲であり、x+yは1.0を超えないことを特徴とするペロブスカイト型構造の酸化物。
IPC (8件):
C01G 29/00 ,  C01G 1/00 ,  H01B 1/08 ZAA ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA
FI (8件):
C01G 29/00 ,  C01G 1/00 S ,  H01B 1/08 ZAA ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/12 ZAA C ,  H01L 39/24 ZAA W

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