特許

J-GLOBAL ID：200903085594907354

ノンシリコン技術および方法に用いる窒化チタン拡散障壁

発明者： アンドレアス ダエトヴィレル ,  ウアス ドッチ ,  クリストフ ハーダー ,  ウイルヘルム ヒューバーガー ,  エバーハード ラッタ ,  アブラム ジャクボーリックス ,  アルバータス オーセンブラック ,  ウイリアム パトリック ,  ピーター ロエンハンゼン ,  エリカ ウイリアムス
出願人/特許権者： ユニフェイズ レーザー エンタープライズ アーゲー
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217482
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 拡散障壁を有するデバイスを提供する。【解決手段】後でさらに詳細に説明するように、ここでは窒化チタン拡散障壁層、およびそれに関連したノンシリコン半導体技術に利用するための方法が開示される。本発明の第1の形態において、半導体装置はノンシリコン活性表面を含む。改良点は、外部とノンシリコン活性表面との電気的接続を形成するために働く接触を備え、接触は実質的に窒化チタンから成る少なくとも1つの層を含む。本発明の他の形態において、半導体基板および基板の上に配置された活性層を含む半導体リッジ導波管レーザーが開示される。被覆層は、一部が基板に、一部が活性層に支持される。被覆層には、活性領域に対面して設けられたリッジ部を含む。金属化構造は、リッジ部を実質的に覆い、主として窒化チタンから成る少なくとも一つの層を含む。

請求項（抜粋）：

ノンシリコン活性表面を含む半導体装置であって、前記ノンシリコン活性表面と外部との電気的な接続を形成するための接触を備え、前記接触は、実質的に窒化チタンからなる少なくとも一つの層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/223

FI (4件)：

H01S 5/042 610 ,  H01L 21/28 301 G ,  H01S 5/223 ,  H01L 29/80 B

Fターム (30件)：

4M104AA05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104FF18 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  4M104HH04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA61 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102HC11