特許

J-GLOBAL ID：200903085601555507

半導体素子のバンプ形成方法

発明者： 奥秋 裕
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154290
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235001
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 金属バンプの高さを表面張力による円丘形状よりも高くなるように、磁力によって金属バンプの高さを修正し、接続部の信頼性の優れた金属バンプを得る。【構成】 半導体素子のバンプ形成方法において、組成中に磁性体金属粒子27を含有する半導体素子の金属バンプ26を仮固定状態に形成し、該突起電極を磁性体吸引手段28にて引上げた状態で固定するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)組成中に磁性体金属粒子を含有する半導体素子の突起電極を仮固定状態に形成し、(b)該突起電極を磁性体吸引手段にて引上げた状態で固定することを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F