特許
J-GLOBAL ID：200903085605487590
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258227
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102154
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 Ag金属系配線中のAg原子が層間絶縁膜側に拡散するのを防止できる配線構造の半導体装置を得んとするものである。【構成】 シリコン基板11上にSiO2膜12を形成し、その上に順次Ti膜13,下部TiN膜14,Ag膜15,上部TiN膜16を積層し、これらを所定の配線幅寸法となるように、パターニングし、これらの側壁及び上面に、保護膜としてのTiN層18を被着させる。このため、低抵抗且つエレクトロマイグレーション耐性を有する配線が実現出来、特性劣化を防止した信頼性の高いデバイスを得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に拡散防止層を介して選択的に形成されたAg金属系配線を有する半導体装置において、前記Ag金属系配線の上面及び側面に接する、高融点金属及び高融点金属の導電性化合物から選ばれる少なくとも一種からなる保護膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
