特許
J-GLOBAL ID：200903085606424923
磁気抵抗素子の製造方法と磁気抵抗素子、その磁気抵抗素子を用いたプローブの製造方法とプローブ、およびそのプローブを用いた磁気顕微鏡
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193884
公開番号（公開出願番号）：特開平10-019909
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】先端を任意の形状に容易に形成できる磁気抵抗素子の製造方法と磁気抵抗素子、磁気抵抗素子を用いたプローブの製造方法とプローブ、およびそのプローブを用いた磁気顕微鏡を提供する。【解決手段】一方の基板である第一基板1の剥離層5上に磁性体層7を形成し、他方の基板である第二基板19上に形成された引き出し電極9対上に、前記磁性体層を転写することにより磁気抵抗素子を形成するか、または一方の基板である第一基板1の剥離層5上に磁性体層を形成し、他方の基板である第二基板19上に形成された接合層上に、前記磁性体層を転写しその磁性体層7に引き出し電極9対を形成する。このようにして形成された磁気抵抗素子とその磁気抵抗素子を用いたプローブの製造方法とそのプローブ、およびそのプローブを用いて磁気顕微鏡を構成したものである。
請求項（抜粋）：
磁気情報を検出するために用いる磁気抵抗素子の製造方法において、一方の基板である第一基板の剥離層上に磁性体層を形成し、他方の基板である第二基板上に形成された引き出し電極対上に、前記磁性体層を転写することにより磁気抵抗素子を形成することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
IPC (9件)：
G01N 37/00
, G01B 21/30
, G01N 27/72
, G02B 21/00
, G11B 5/39
, G11B 11/00
, H01L 43/08
, H01L 43/12
, G11B 9/00
G01N 37/00 H
, G01B 21/30 Z
, G01N 27/72
, G02B 21/00
, G11B 5/39
, G11B 11/00
, H01L 43/08 P
, H01L 43/08 D
, H01L 43/12
, G11B 9/00
