特許
J-GLOBAL ID：200903085609110814
半導体基板の処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308664
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144649
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】半導体ウエハの汚染をなくし,乾燥処理を迅速に行うことで生産性を向上させる。【解決手段】半導体ウエハを気相エッチング処理する方法が与えられる。本願は,反応室チャンバ内に反応ガスを導入し前記半導体ウエハをエッチング処理する工程と,該反応室チャンバ内に不活性ガスを導入し反応室チャンバ内の圧力を大気圧に戻す工程と,半導体ウエハを洗浄する工程と,半導体ウエハを乾燥させる工程と,アルコールガスを前記反応室チャンバ内に導入する工程と,から成る。反応チャンバ内壁は50〜80°Cの所定の温度に一定に保持される。使用されるアルコールには当該所定の温度より10°C以上沸点の低いものが選択される。不活性ガスの使用により,スピンドライの際のウォーターマークの発生を防止できる。またアルコールガスをチャンバ内壁面の水滴にのみ選択的に作用させることにより,有機物汚染を防止し,乾燥時間を約10分の1に短縮させることができた。
請求項（抜粋）：
真空排気した反応室チャンバ内で半導体ウエハを処理する方法であって,前記反応室チャンバ内に反応ガスを導入し,前記半導体ウエハをエッチング処理する工程と,前記反応室チャンバ内に不活性ガスを導入し,反応室チャンバ内の圧力を大気圧に戻す工程と,前記半導体ウエハを洗浄する工程と,前記半導体ウエハを乾燥させる工程と,前記反応室チャンバの壁面温度より沸点が10°C以上低いアルコールのガスを当該反応室チャンバ内に導入する工程と,から成る方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304
H01L 21/304 351 S
, H01L 21/304 351 V
