特許

J-GLOBAL ID：200903085610032878

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 秋山 裕明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232889
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094596
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 スタック型DRAMのゲート長の縮小とチタンシリサイド化による低抵抗化とを図る。【構成】 このスタック型DRAMは、以下に示す点で、従来のスタック型DRAMと本質的に異なる。(1)選択用MOS型トランジスタのN型高濃度領域273 の表面に、チタンシリサイド膜263 が形成されている。(2)容量部の多結晶シリコンからなる共通電極23上に、チタンシリサイド膜263 が形成されている。すなわち、容量部の第2の蓄積電極が、多結晶シリコン層と高融点金属の硅化物層の二層構造からなっている。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板に形成された、他の導電型の低濃度不純物拡散層,前記他の導電型の高濃度不純物拡散層およびゲート電極を有する選択用MOS型トランジスタと、前記低濃度不純物拡散層上とゲート電極上とに形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を開口して形成された第1のコンタクト穴を介して前記低濃度不純物拡散層と電気的に接続された第1の蓄積電極と、該第1の蓄積電極上にキャパシタ絶縁膜を介して形成された、多結晶シリコン層と高融点金属の硅化物層の二層構造からなる第2の蓄積電極と、該第2の蓄積電極上および前記高濃度不純物拡散層上に形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜を開口して形成された第2のコンタクト穴を介して前記高濃度不純物拡散層と電気的に接続された信号配線とを含み、前記高濃度不純物拡散層の表面に、高融点金属の硅化物が形成されている半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-281654
  
• 特開平3-104274
  
• 特開昭61-292956