半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045569
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハの裏面研削時における静電気の発生を防止できる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】 CO2 ガスを添加することによって、電気比抵抗が、静電気が発生しない領域である1MΩcm以下とされた超純水を用いて半導体ウエハの裏面研削を行う。これによって、静電気の発生が防止され、形成された半導体素子の破壊や高抵抗多結晶シリコンの半導体素子の特性変動を未然に防止することが可能になる。

請求項（抜粋）：