半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275713
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】素子部の破壊を来さないダイシング技術の提供。【構成】半導体ウエハ10においては、カットゾーン11の両側にカットゾーン11に沿う溝12が設けられる。この溝12は素子部5よりも深く形成される。ダイシングは前記カットゾーン11に沿って行われる。ダイシング時に発生するクラック4の内、表層部のクラック4は前記溝12に到達した後は、溝12を越えて素子部5に延びることはなく、素子部5の破壊が防止できる。半導体チップ1は、各工程で受ける熱で前記クラック(マイクロクラック)4が成長しても、クラックは溝12を越えて素子部5に至ることはなく信頼性が高い。

請求項（抜粋）：

主面に縦横に素子部を整列配置形成してなる半導体ウエハであって、前記素子部と素子部との間のダイシングを行うカットゾーンの両側にカットゾーンに沿う溝が設けられていることを特徴とする半導体ウエハ。

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