特許

J-GLOBAL ID：200903085613594940

レジストパターンの形成方法

発明者： 水島 賢子 ,  金光 英之 ,  山本 祐一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-248044
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095370
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 ネガ型レジストパターンの形成に関し、未露光部に残渣のないレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 フェノール樹脂に少なくとも酸発生剤と架橋剤とを添加してなるレジストにおいて、フェノール樹脂として良溶媒と貧溶媒とを使用して低分子量成分を除いたものを使用し、このレジストを被処理基板上に塗布し、電離放射線を選択露光した後に現像して未露光部を溶解することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

フェノール樹脂に少なくとも酸発生剤と架橋剤とを添加してなるレジストにおいて、前記フェノール樹脂として低分子量成分を含まないものを使用し、該レジストを被処理基板上に塗布し、電離放射線を選択露光した後に現像して未露光部を溶解することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027