特許

J-GLOBAL ID：200903085617025052

高融点金属膜のドライエッチング方法

発明者： 庄司 秀行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273352
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130709
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】下地のシリコン酸化膜に対して選択性の優れた高融点金属膜のエッチング方法を得る。【構成】シリコン基板1にSiO2 膜2を成長し、スパッタリング技術によりW膜3を成膜する。そしてフォトレジスト膜4を塗布し、露光技術によりパターンを形成する。このシリコン基板を陽極結合型のナローギャップタイプのドライエッチング装置によりSF6 /Cl2 /O2 を流量比20:0.5〜1.5:3〜7の範囲の条件でエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

エッチングガスとしてSF6 とCl2 とO2 の混合ガスを用い、陽極結合型のドライエッチング装置によりエッチングを行うことを特徴とする高融点金属膜のドライエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-072082
  
• 特開平2-262334