特許

J-GLOBAL ID：200903085618213847

電磁弁

発明者： 村上 史佳 ,  吉山 茂
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-217763
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月15日
要約：

【要約】【目的】 高負圧時の低流量を高精度で制御できる電磁弁を提供する。【構成】 副弁体21は△p(差圧)×S1(S1は開口15及び26aにより決まる受圧面積)の大きさの力が作用して、弁座18側へ付勢される。コイルスプリング29の付勢力を△p×S1より小さい値に設定すると、副弁体21は可動体6が固定鉄心5側に吸引され弁体8が離間した場合でも、弁座18に着座し続け、開口15の面積が絞り開口26aの面積に減少されて流量が低減される。差圧△pが低下してコイルスプリング29の付勢力が前記△p×S1の大きさの力に打ち勝つと、副弁体21はコイルスプリング29の付勢力により弁座18から離間し、開口15が全開する。従って、差圧大の高負圧時の流量を低減でき低流量制御精度を向上することができる。

請求項（抜粋）：

開閉される流体通路の開口の開口面積を減少させる副弁体と、付勢材の付勢力により前記開口を閉じて前記流体通路を遮断する主弁体と、前記付勢材の付勢力に抗して前記主弁体を付勢し、前記流体通路の前記開口を開く電磁ソレノイドとを備えたことを特徴とする電磁弁。

IPC (3件)：

F16K 31/06 305 ,  F16K 31/06 340 ,  F16K 31/06 385