特許

J-GLOBAL ID：200903085619284390

半導体素子用基板及び半導体素子並びに窒素化合物半導体単結晶基板の製造方法

発明者： 木下 博之
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057604
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247790
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥を抑制して化合物半導体薄膜を成膜でき、加工性に優れ、エッチング加工時の作業性も良好であり、安価に製造可能なものとする。【解決手段】半導体素子用基板において、Cax Al2yOx+3y(1≦x/y≦7/2)で表されるカルシウムアルミネート単結晶の(130)面,(100)面,(001)面のいずれかを主面とする。

請求項（抜粋）：

Cax Al2yOx+3y(1≦x/y≦7/2)で表されるカルシウムアルミネート単結晶の(130)面,(100)面,(001)面のいずれかを主面とすることを特徴とする半導体素子用基板。

IPC (2件)：

C30B 29/22 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

C30B 29/22 A ,  H01L 21/20

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG18 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05