特許
J-GLOBAL ID：200903085621497732
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153462
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347413
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】この発明は、スイッチング特性とオン電圧の良好な相関関係が得られ、特に低電流領域において相関関係が大幅に改善される半導体製造装の製造方法を提供することを目的とする。【構成】この発明の半導体製造装置の製造方法は、半導体基板の一主面上に第1導電型の第1の半導体領域と第2導電型の第2の半導体領域とを選択拡散する工程と、この工程の次に、上記半導体基板上に少なくとも1層からなる第2導電型の第1の半導体層を形成する工程と、この工程の次に、上記第1の半導体層上に熱拡散により第1導電型と第2導電型の素子領域を形成する工程と、この工程の次に、上記半導体基板の反対主面上を研磨し、その研磨面に上記第1導電型の第1の半導体領域と第2導電型の第2の半導体領域とを露出させる工程とを具備してなり、上記の目的を達成することが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に第1導電型の第1の半導体領域と第2導電型の第2の半導体領域とを選択拡散する工程と、次に、上記半導体基板上に少なくとも1層からなる第2導電型の第1の半導体層を形成する工程と、次に、上記第1の半導体層上に熱拡散により第1導電型と第2導電型の素子領域を形成する工程と、次に、上記半導体基板の反対主面上を研磨し、その研磨面に上記第1導電型の第1の半導体領域と上記第2導電型の第2の半導体領域とを露出させる工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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