特許

J-GLOBAL ID：200903085624698364

シリコン基板の接合方法

発明者： 高木 博嗣 ,  赤池 正剛 ,  八木 隆行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-040398
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195334
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板どうしの接合工程において、低温処理で強固な接合を可能とすることにあり、また、これにより高温に耐える材料以外の材料も利用可能とし、更に膜はがれや、ボイドの発生も防止する。【構成】 シリコン基板1,2表面を疎水化処理する工程と、該疎水化処理した前記基板どうしを加圧下で接触させて接合する工程と、その後加熱処理して前記接合を強化する工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の接合方法。前記基板どうし1,2を加圧下で接触させて接合する工程は、前記基板1,2の中央部から順次接触させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面を疎水化処理する工程と、該疎水化処理した前記基板どうしを加圧下で接触させて接合する工程と、その後加熱処理して前記接合を強化する工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の接合方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/308 ,  H01L 27/12