特許

J-GLOBAL ID：200903085634836749

発光ダイオードアレイおよびその製造方法

発明者： 荻原 光彦 ,  小泉 真澄 ,  谷中 真澄 ,  中村 幸夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-022812
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222762
出願日： 1995年02月10日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 劣化の要因とならない程度の小さい膜応力を有する層間絶縁膜を具えた発光ダイオードアレイ、および素子製造のプロセス工程および製造した素子において、不良原因や劣化の要因とならない程度の膜応力を有する層間絶縁膜を具えた発光ダイオードアレイを製造する方法を提供すること。【構成】 n型のGaAs1-x Px (0≦x≦0.4)基板中に所定の形状にパターニング済みの拡散源膜から不純物を拡散させ不純物拡散領域19を形成する。次に、拡散層形成済み基板11a上のすべての膜を除去する。次に、拡散層形成済み基板11a上に膜応力が0近傍の層間絶縁膜を形成する。次に、層間絶縁膜をエッチングして不純物拡散領域19が露出する開口部21bを形成する。その後、n側電極25およびp側電極23を形成する。

請求項（抜粋）：

基板表面に接した領域に形成された第2導電型の半導体領域と該第2導電型の半導体領域を囲む第1導電型の半導体領域とを有する化合物半導体基板と、該基板上の前記第2導電型の半導体領域を露出する開口部を具えた層間絶縁膜とを含む発光ダイオードアレイにおいて、前記層間絶縁膜の膜応力が0近傍であることを特徴とする発光ダイオードアレイ。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/225

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/22 C ,  H01L 21/225 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭47-036783
  
• 特公昭48-042379