特許

J-GLOBAL ID：200903085635086247

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松本 光市
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073746
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270569
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 固相拡散を用いゲート電極中の不純物濃度を高めて空乏化の影響を抑制できると共に、高濃度の極浅接合のLDD構造を実現した半導体装置を提供する。【解決手段】 イオン注入された不純物の拡散と活性化のため熱処理を行うことにより、n型MOSFET領域120ではPSG膜107内に含まれるn型不純物がSi基板101内に拡散して、高密度のn型不純物を含みかつ浅いLDD層113が形成される。またn型不純物はn型ゲート電極103aにも拡散して、n型ゲート電極内の不純物密度が高くなり空乏化が抑制される。さらにp型MOSFET領域130においてもBSG膜105内に含まれるp型不純物が、Si基板101内に拡散して高密度のp型不純物を含み、かつ浅いLDD層114が形成されると共に、p型ゲート電極104a内にも拡散して、p型ゲート電極内の不純物濃度が高まり空乏化が抑制される。

請求項（抜粋）：

第1導電型トランジスタ領域および第2導電型トランジスタ領域を含む半導体装置において、第1導電型トランジスタ領域および第2導電型トランジスタ領域のうちの少なくとも一方の領域に形成されると共に各々ソースまたはドレインとなる一対の第1の不純物領域と、これら第1の不純物領域の各対向領域側に前記第1の不純物領域それぞれに接し、かつ第1の不純物領域よりも薄く形成された前記第1の不純物領域と同一導電型の一対の第2の不純物領域と、これら第2の不純物領域間の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極および一対の第2の不純物領域それぞれに接するように形成された不純物拡散源としての絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/225

FI (4件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/225 Q ,  H01L 21/265 602 B